产品属性 | 属性值 |
型号 | FDD5N60NZTM |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-252AA |
描述 | 描述:UniFETTMIIMOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。此先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外,内部门极电源ESD二极管使得UniFETIIMOSFET能够承受2kV以上的HBM浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示屏(FPD)TV电源、ATX和电子灯镇流器。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 4A |
功率(Pd) | 83W |
编号 | C388427 |
圆盘 | 2500个/圆盘 |

FDD5N60NZTM
¥6.3200
库存 269 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥6.3200 |
10 - 99 | ¥5.6880 |
100 - 999 | ¥5.3720 |
1000 + | ¥5.0560 |