| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD5N60NZTM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252AA |
| 描述 | 描述:UniFETTMIIMOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。此先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源ESD二极管使得UniFETIIMOSFET能够承受2kV以上的HBM浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示屏(FPD)TV电源、ATX和电子灯镇流器。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 功率(Pd) | 83W |
| 编号 | C388427 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD5N60NZTM
¥6.3200
库存 269 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥6.3200 |
| 10 - 99 | ¥5.6880 |
| 100 - 999 | ¥5.3720 |
| 1000 + | ¥5.0560 |