| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD6690A |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；46A |
| 功率(Pd) | 3.3W；56W |
| 编号 | C467448 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FDD6690A
¥2.8300
无货