产品属性 | 属性值 |
型号 | FDD8424H |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-252-4 |
描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型功率MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。 |
类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 9A;6.5A |
功率(Pd) | 1.3W |
编号 | C112174 |
圆盘 |

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FDD8424H
¥5.6000
无货