| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD8424H |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-4 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型功率MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；6.5A |
| 功率(Pd) | 1.3W |
| 编号 | C112174 |
| 圆盘 |
Sold out
FDD8424H
¥5.6000
无货
¥5.6000
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD8424H |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-4 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型功率MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；6.5A |
| 功率(Pd) | 1.3W |
| 编号 | C112174 |
| 圆盘 |