| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD8453LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 16.4A；50A |
| 功率(Pd) | 3.1W；65W |
| 编号 | C467450 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FDD8453LZ
¥6.0200
无货
¥6.0200
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD8453LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 16.4A；50A |
| 功率(Pd) | 3.1W；65W |
| 编号 | C467450 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |