| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD850N10L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252(DPAK) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用PowerTrench工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15.7A |
| 功率(Pd) | 50W |
| 编号 | C903586 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD850N10L
¥11.8600
库存 74 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥11.8600 |
| 10 - 99 | ¥10.6740 |
| 100 - 999 | ¥10.0810 |
| 1000 + | ¥9.4880 |