| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD86102 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252(DPAK) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；36A |
| 功率(Pd) | 3.1W；62W |
| 编号 | C47711 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD86102
¥10.2700
库存 15 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥10.2700 |
| 10 - 99 | ¥9.2430 |
| 100 - 999 | ¥8.7295 |
| 1000 + | ¥8.2160 |