| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD86110 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DPAK(TO-252) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A；50A |
| 功率(Pd) | 3.1W；127W |
| 编号 | C455153 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD86110
¥10.9000
库存 4452 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥10.9000 |
| 10 - 99 | ¥9.8100 |
| 100 - 999 | ¥9.2650 |
| 1000 + | ¥8.7200 |