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FDD86113LZ

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无货
产品属性 属性值
型号 FDD86113LZ
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TO-252
描述 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 4.2A;5.5A
功率(Pd) 3.1W;29W
编号 C903587
圆盘 2500个/圆盘

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