产品属性 | 属性值 |
型号 | FDD86113LZ |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-252 |
描述 | 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 4.2A;5.5A |
功率(Pd) | 3.1W;29W |
编号 | C903587 |
圆盘 | 2500个/圆盘 |

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FDD86113LZ
¥17.7400
无货