| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD86250 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；50A |
| 功率(Pd) | 3.1W；132W |
| 编号 | C463461 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD86250
¥14.8400
库存 27 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥14.8400 |
| 10 - 99 | ¥13.3560 |
| 100 - 999 | ¥12.6140 |
| 1000 + | ¥11.8720 |