| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD86252 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；27A |
| 功率(Pd) | 3.1W；89W |
| 编号 | C556476 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD86252
¥7.5600
库存 43 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥7.5600 |
| 10 - 99 | ¥6.8040 |
| 100 - 999 | ¥6.4260 |
| 1000 + | ¥6.0480 |