| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD86369 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的总能效而设计，可以使用同步开关PWM控制器，也可以使用传统开关PWM控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 90A |
| 功率(Pd) | 150W |
| 编号 | C903591 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD86369
¥9.8800
库存 185 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.8800 |
| 10 - 99 | ¥8.8920 |
| 100 - 999 | ¥8.3980 |
| 1000 + | ¥7.9040 |