| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD8647L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用PowerTrench专属技术生产的，可提供低rDS(on)和优化的BVDSS能力，为应用带来卓越性能优势。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；42A |
| 功率(Pd) | 3.1W；43W |
| 编号 | C467451 |
| 圆盘 |
Sold out
FDD8647L
¥5.0400
无货
¥5.0400
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD8647L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用PowerTrench专属技术生产的，可提供低rDS(on)和优化的BVDSS能力，为应用带来卓越性能优势。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；42A |
| 功率(Pd) | 3.1W；43W |
| 编号 | C467451 |
| 圆盘 |