| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDG6301N |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SC-70-6 |
| 描述 | 描述: 2个N沟道 耐压:25V 电流:220mA 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):220mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@220mA,4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 编号 | 编号: C236893 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDG6301N
¥1.2443
库存 22000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.2443 |
| 10 - 99 | ¥1.1199 |
| 100 - 999 | ¥1.0577 |
| 1000 + | ¥0.9954 |