| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDG6303N |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SC-70-6 |
| 描述 | 描述: 2个N沟道 耐压:25V 电流:500mA 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@500mA,4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 编号 | 编号: C512895 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDG6303N
¥1.5395
库存 13000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.5395 |
| 10 - 99 | ¥1.3856 |
| 100 - 999 | ¥1.3086 |
| 1000 + | ¥1.2316 |