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FDG6304P

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无货
产品属性 属性值
型号 FDG6304P
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:SOT-363
描述 描述:此类双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用高单元密度的DMOS专属工艺生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
类型 2个P沟道
漏源电压(Vdss) 25V
连续漏极电流(Id) 410mA
功率(Pd) 300mW
编号 C890884
圆盘

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