| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDG6304P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-363 |
| 描述 | 描述:此类双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用高单元密度的DMOS专属工艺生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。 |
| 类型 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 编号 | C890884 |
| 圆盘 |
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FDG6304P
¥1.4955
无货