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FDG6321C

¥2.5300

库存 1266 件
数量 价格
1 - 9 ¥2.5300
10 - 99 ¥2.2770
100 - 999 ¥2.1505
1000 + ¥2.0240
产品属性 属性值
型号 FDG6321C
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:SC-88(SC-70-6)
描述 描述:此类双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。因为无需偏置电阻,所以此类双数字FET可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
类型 1个N沟道和1个P沟道
漏源电压(Vdss) 25V
连续漏极电流(Id) 500mA;410mA
功率(Pd) 300mW
编号 C258213
圆盘 3000个/圆盘

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