| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDG6322C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-70-6 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字FET可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA；410mA |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 编号 | C112152 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDG6322C
¥2.1000
库存 1184 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.1000 |
| 10 - 99 | ¥1.8900 |
| 100 - 999 | ¥1.7850 |
| 1000 + | ¥1.6800 |