| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDG8842CZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-323-6L |
| 描述 | 描述:此类N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字FET可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C464156 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDG8842CZ
¥5.5900
库存 1219 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥5.5900 |
| 10 - 99 | ¥5.0310 |
| 100 - 999 | ¥4.7515 |
| 1000 + | ¥4.4720 |