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FDG8842CZ

¥5.5900

库存 1219 件
数量 价格
1 - 9 ¥5.5900
10 - 99 ¥5.0310
100 - 999 ¥4.7515
1000 + ¥4.4720
产品属性 属性值
型号 FDG8842CZ
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:SOT-323-6L
描述 描述:此类N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计的。因为无需偏置电阻,所以此类双数字FET可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
类型
漏源电压(Vdss)
连续漏极电流(Id)
功率(Pd)
编号 C464156
圆盘 3000个/圆盘

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