| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDI045N10A-F102 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-262-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C605026 |
| 圆盘 | 1000个/管 |
FDI045N10A-F102
¥25.5500
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥25.5500 |
| 10 - 99 | ¥22.9950 |
| 100 - 999 | ¥21.7175 |
| 1000 + | ¥20.4400 |