| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC010N08C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:Power-33 |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET使用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；51A |
| 功率(Pd) | 2.4W；52W |
| 编号 | C605028 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC010N08C
¥14.0250
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥14.0250 |
| 10 - 99 | ¥12.6225 |
| 100 - 999 | ¥11.9213 |
| 1000 + | ¥11.2200 |