| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC4435BZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:WDFN-8(3.3×3.3) |
| 描述 | 描述:这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A；18A |
| 功率(Pd) | 2.3W；31W |
| 编号 | C556450 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC4435BZ
¥4.6575
库存 501 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4.6575 |
| 10 - 99 | ¥4.1918 |
| 100 - 999 | ¥3.9589 |
| 1000 + | ¥3.7260 |