| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC510P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:WDFN-8 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；18A |
| 功率(Pd) | 41W；2.3W |
| 编号 | C890933 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC510P
¥5.8700
库存 1952 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥5.8700 |
| 10 - 99 | ¥5.2830 |
| 100 - 999 | ¥4.9895 |
| 1000 + | ¥4.6960 |