| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC6686P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(3.3×3.3) |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 功率(Pd) | 2.3W |
| 编号 | C348535 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC6686P
¥16.2400
库存 2 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥16.2400 |
| 10 - 99 | ¥14.6160 |
| 100 - 999 | ¥13.8040 |
| 1000 + | ¥12.9920 |