| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC8010 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低rDS(on)的应用，如高性能VRM、POL和Oring功能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 功率(Pd) | 2.4W |
| 编号 | C512897 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC8010
¥16.6900
库存 35 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥16.6900 |
| 10 - 99 | ¥15.0210 |
| 100 - 999 | ¥14.1865 |
| 1000 + | ¥13.3520 |