| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC8010DC |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(3.3×3.3) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的。同时结合了硅和DualCool封装技术的发展，可提供最低的rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 37A |
| 功率(Pd) | 3W |
| 编号 | C555489 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC8010DC
¥6.1900
库存 1892 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥6.1900 |
| 10 - 99 | ¥5.5710 |
| 100 - 999 | ¥5.2615 |
| 1000 + | ¥4.9520 |