| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC8360L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C890958 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDMC8360L
¥15.0800
无货
¥15.0800
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC8360L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C890958 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |