| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86102 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:Power-33 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；20A |
| 功率(Pd) | 2.3W；41W |
| 编号 | C455159 |
| 圆盘 |
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FDMC86102
¥4.0499
无货
¥4.0499
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86102 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:Power-33 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；20A |
| 功率(Pd) | 2.3W；41W |
| 编号 | C455159 |
| 圆盘 |