| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86102L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PowerWDFN-8 |
| 描述 | 描述:N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C555493 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC86102L
¥7.8700
库存 231 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥7.8700 |
| 10 - 99 | ¥7.0830 |
| 100 - 999 | ¥6.6895 |
| 1000 + | ¥6.2960 |