| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86116LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:MLP-8(3.3×3.3) |
| 描述 | 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A；7.5A |
| 功率(Pd) | 2.3W；19W |
| 编号 | C455147 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDMC86116LZ
¥15.0600
无货