| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86139P |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: Power-33-8 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:100V 电流:15A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):67mΩ@10V,4.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 功率(Pd) | 40W |
| 编号 | 编号: C463243 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC86139P
¥6.4900
库存 9763 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥6.4900 |
| 10 - 99 | ¥5.8410 |
| 100 - 999 | ¥5.5165 |
| 1000 + | ¥5.1920 |