| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86160 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:Power-33 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低rDS(on)的应用，如高性能VRM、POL和Oring功能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；43A |
| 功率(Pd) | 2.3W；54W |
| 编号 | C605029 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC86160
¥10.5923
库存 424 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥10.5923 |
| 10 - 99 | ¥9.5331 |
| 100 - 999 | ¥9.0035 |
| 1000 + | ¥8.4738 |