| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86160ET100 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低rDS(on)的应用，如高性能VRM、POL和Oring功能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C890964 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC86160ET100
¥13.8800
库存 983 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥13.8800 |
| 10 - 99 | ¥12.4920 |
| 100 - 999 | ¥11.7980 |
| 1000 + | ¥11.1040 |