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FDMC86160ET100

¥13.8800

库存 983 件
数量 价格
1 - 9 ¥13.8800
10 - 99 ¥12.4920
100 - 999 ¥11.7980
1000 + ¥11.1040
产品属性 属性值
型号 FDMC86160ET100
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:PQFN-8
描述 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低rDS(on)的应用,如高性能VRM、POL和Oring功能。
类型
漏源电压(Vdss)
连续漏极电流(Id)
功率(Pd)
编号 C890964
圆盘 3000个/圆盘

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