| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86183 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(3.3×3.3) |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 47A |
| 功率(Pd) | 52W |
| 编号 | C890965 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC86183
¥10.0700
库存 50 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥10.0700 |
| 10 - 99 | ¥9.0630 |
| 100 - 999 | ¥8.5595 |
| 1000 + | ¥8.0560 |