| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMC86184 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(3.3×3.3) |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 57A |
| 功率(Pd) | 54W |
| 编号 | C463951 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMC86184
¥9.0280
库存 57 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.0280 |
| 10 - 99 | ¥8.1252 |
| 100 - 999 | ¥7.6738 |
| 1000 + | ¥7.2224 |