| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDME820NZT |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:MicroFET(1.6×1.6) |
| 描述 | 描述:此单N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺设计的，可基于特制的MicroFET引线框架优化rDS(ON)@VGS=1.8V。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 29V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| 功率(Pd) | 2.1W |
| 编号 | C895385 |
| 圆盘 | 5000个/圆盘 |
FDME820NZT
¥4.0338
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4.0338 |
| 10 - 99 | ¥3.6304 |
| 100 - 999 | ¥3.4287 |
| 1000 + | ¥3.2270 |