| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS007N08LC |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET使用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；84A |
| 功率(Pd) | 2.5W；92.6W |
| 编号 | C606106 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDMS007N08LC
¥11.0400
无货