| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS015N04B |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 31.3A；100A |
| 功率(Pd) | 2.5W；104W |
| 编号 | C330163 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDMS015N04B
¥16.7600
无货
¥16.7600
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS015N04B |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 31.3A；100A |
| 功率(Pd) | 2.5W；104W |
| 编号 | C330163 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |