| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS030N06B |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 22.1A；100A |
| 功率(Pd) | 104W；2.5W |
| 编号 | C891039 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMS030N06B
¥15.2005
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥15.2005 |
| 10 - 99 | ¥13.6805 |
| 100 - 999 | ¥12.9204 |
| 1000 + | ¥12.1604 |