| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS3660S |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此器件在一个双PQFN封装中包括了两个特制的N沟道MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET(Q2)可提供最佳功率效率。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；60A |
| 功率(Pd) | 1W |
| 编号 | C255597 |
| 圆盘 |
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FDMS3660S
¥8.1492
无货