| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS4D0N12C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PDFN-8(5.2×6.2) |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C605037 |
| 圆盘 |
Sold out
FDMS4D0N12C
¥15.0315
无货
¥15.0315
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS4D0N12C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PDFN-8(5.2×6.2) |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C605037 |
| 圆盘 |