| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS4D4N08C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(4.9×5.8) |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C891059 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMS4D4N08C
¥11.9700
库存 20 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥11.9700 |
| 10 - 99 | ¥10.7730 |
| 100 - 999 | ¥10.1745 |
| 1000 + | ¥9.5760 |