| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS86101A |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；60A |
| 功率(Pd) | 2.5W；104W |
| 编号 | C605041 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMS86101A
¥13.3000
库存 2990 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥13.3000 |
| 10 - 99 | ¥11.9700 |
| 100 - 999 | ¥11.3050 |
| 1000 + | ¥10.6400 |