| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS86101DC |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和DualCool封装技术的发展，可提供最低的rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A；60A |
| 功率(Pd) | 3.2W；125W |
| 编号 | C605042 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDMS86101DC
¥15.6900
无货