| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS86163P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(4.9×5.8) |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C469176 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMS86163P
¥11.3900
库存 1202 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥11.3900 |
| 10 - 99 | ¥10.2510 |
| 100 - 999 | ¥9.6815 |
| 1000 + | ¥9.1120 |