产品属性 | 属性值 |
型号 | FDMS86163P |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:PQFN-8(4.9×5.8) |
描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。 |
类型 | |
漏源电压(Vdss) | |
连续漏极电流(Id) | |
功率(Pd) | |
编号 | C469176 |
圆盘 | 3000个/圆盘 |

FDMS86163P
¥11.3900
库存 1202 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥11.3900 |
10 - 99 | ¥10.2510 |
100 - 999 | ¥9.6815 |
1000 + | ¥9.1120 |