| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS86202ET120 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:PQFN-8(5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C891095 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDMS86202ET120
¥14.8540
库存 14 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥14.8540 |
| 10 - 99 | ¥13.3686 |
| 100 - 999 | ¥12.6259 |
| 1000 + | ¥11.8832 |