| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS86263P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DFN-8(4.9×5.8) |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 22A |
| 功率(Pd) | 104W |
| 编号 | C455156 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDMS86263P
¥18.8600
无货
¥18.8600
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDMS86263P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DFN-8(4.9×5.8) |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 22A |
| 功率(Pd) | 104W |
| 编号 | C455156 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |