产品属性 | 属性值 |
型号 | FDMS86500DC |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:DFN-8(4.9×5.7) |
描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的。同时结合了硅和DualCool封装技术的发展,可提供最低的rDS(on),因为具有极低的结到环境热阻,同时可保持卓越的开关性能。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 108A |
功率(Pd) | 125W |
编号 | C891103 |
圆盘 | 3000个/圆盘 |

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FDMS86500DC
¥24.5500
无货