| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN028N20 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道PowerTrenchMOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 编号 | C891116 |
| 圆盘 |
Sold out
FDN028N20
¥2.6700
无货
¥2.6700
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN028N20 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道PowerTrenchMOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 编号 | C891116 |
| 圆盘 |