| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN306P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23 |
| 描述 | 描述:此P沟道1.8V指定MOSFET使用先进的低压PowerTrench工艺。此产品非常适用于电池管理应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C154510 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDN306P
¥1.2367
库存 11480 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.2367 |
| 10 - 99 | ¥1.1130 |
| 100 - 999 | ¥1.0512 |
| 1000 + | ¥0.9894 |